许多学者经过引进不同的金属离子或半导体对uv光催化剂进行改性以提高其活性和光敏性。在光氧催化设备中掺杂过渡族金属和掺杂氮元素对其进行改性进步tio2的光敏性，掺杂的过渡族金属例如v、cr、mn、fe、co、 ni和 cu使得吸收光的波段得到扩展。经过掺杂低浓度的wo3（4 wt.%)能够使锐钛矿型的tio2有用的使用可见光和紫外光进------的分化，光敏处理可使光氧催化设备半导体具有的呼应光频，加速了电子传递来改进光催化反响。
发现tio2能够掺杂金属离子和一些半导体进行改性，tio2晶格内掺杂的元素能够有用的重建载体， 加速电子的搬迁速率， 以0.1-0.5% 的摩尔分率参加fe3+，mo5+，ru3+，os3+，re5+，v4+，和 rh3+能够显着的进步uv光催化剂的氧化和去除能力，可是co3+和al3+的参加使得uv光催化剂的活性下降。在2003 年发现pd/tio2催化剂在紫外线下对家---蒸汽的去除效果比单纯用tio2进步许多，可是pd的效果主要是避免催化剂活性的下降而不是进步其原有活性。光氧催化设备tio2中参加---系金属（la3+，eu3+，pr3+，光氧催化设备批发，nd3+，sm3+）能够有用地进步催化剂外表的化学和物理吸附有机物的功能[10]。lindazou和yonggangluo发现sio2–tio2的活性高于tio2，而且比tio2失活的速度较慢。二元的氧化剂比二氧化钛也有更高的家---吸附容量。
光氧催化设备
光氧催化设备光催化处理反响机理
光催化是一种---的氧化技能， 光氧催化设备选用半导体材料作为催化剂， 当能量相当于半导体禁带宽度的光照射到催化剂外表时， 就会激起半导体内的电子从价带跃迁至导带，构成具有很强活性的电子2空穴对，并进一步---一系列氧化复原反响，然后到达去除污染物的意图。现在，大多数光催化剂为半导体资料，uv光催化氧化设备， 常见的有tio2、zno、cds、wo3、fe2o3、pbs、sno2、ino3、zns、srtio3、lacoo3、sio2等十几种， 光氧催化设备按成分可分为氧化物光催化剂(如tio2、zno)、---物光催化剂(如cds、zns)和复合氧化物光催化剂(如srtio3、lacoo3)。在很多光催化剂中，因为tio2具有杰出的化学、生物和光稳定性，且没有毒性、催化活性高、价格合理、运用---，被---为是醉佳的光催化剂.
光氧催化设备
在去除废气方面，uv光催化设备工艺体现出了较高的处理才能。影响该联合体系去除废---率的要素有许多。试验中别离以固定化光催化剂作为光催化设备填料，光氧催化设备从驯化挂膜进行比照发现，uv光催化废气设备约24天便可到达安稳的降解作用，光氧催化设备价格，陶粒填料滤塔则大约需求27天才到达安稳的降解功率。
挂膜成功后，当绿本气体以4l／min的流量进---合体系，即总停留时间约为116s，调理不同的进气负荷，光氧催化设备比照两种不同除废气体系的去除负荷，结果表明，在进气负荷不大于9．0mg／l·min时，两种联合体系的去除负荷都接近了进气负荷，光氧催化设备，降解率均达90％以上；而当进气负荷增至12．2mg／l·min后，uv光催化废气设备的去除负荷在11．3mg／l·min处平衡，陶粒联合体系在9．5mg／l·min处平衡，阐明两个体系都接近了---去除负荷。一起，调查了不同停留时间下，联合体系对不同浓度废气的去除率，发现停留时间关于高浓度废气的降解有着重要的影响。
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